9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7494PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7494PBF参考价格为4.07292美元。Infineon Technologies IRF7494PBF封装/规格：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO。您可以下载IRF7494PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7493PBF是MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC，包括管封装，它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为9.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds漏极漏极-漏极电阻为15mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为31nC，沟道模式为增强。
IRF7493TRPBF是MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作15毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为31 nC，该器件提供2.5 W Pd功耗，该器件具有一个封装卷，封装盒为SOIC-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为9.2 a。
IRF7493TR是由IR制造的MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC。IRF7493 TR可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH80V 9.3A-8-SOIC、N沟道80V 9.3V（Tc）2.5W（Tc）表面安装8-SO。
IRF7494具有IOR制造的EDA/CAD模型。IRF7494在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
