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CSD22204WT是MOSFET 8-V P沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD22204W系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于DSBGA-9以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.7 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.29 us，上升时间为600 ns，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Vgs栅极-源极阈值电压为-450mV，Rds漏极源极电阻为14mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为3.45us，典型开启延迟时间为58ns，Qg栅极电荷为18.9nC，正向跨导最小值为18S，沟道模式为增强。
CSD22202W15是MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET，包括-800 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-6 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-8 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为109 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术提供，该器件具有CSD22202W15系列，上升时间为8.4 ns，漏极上的Rds源极电阻为12.2 mOhms，Qg栅极电荷为6.5 nC，Pd功耗为1.5 W，封装为卷轴，封装盒为DSBGA-9，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-5 A，下降时间为38 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD22204W是MOSFET 8-V P-Chan NexFET？Pwr MOSFET 9-DSBGA，包括-5A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表注释中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供BGA-9等封装外壳功能，封装设计为在卷轴中工作，以及1.7W Pd功耗，该器件还可以用作漏极-源极电阻上的14mOhms Rds。此外，该系列为CSD22204W，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1个P沟道。Vds漏极-源极击穿电压为-8 V，Vgs栅极-源极电压为-6 V。
