9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFB4212PBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFB4212PBF价格参考6.488美元。Infineon Technologies IRFB4212PBF封装/规格:MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB。您可以下载IRFB4212PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如IRFB4212PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IRFB41N15DPBF是MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB,包括管封装,它们设计为以0.211644盎司的单位重量运行,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供200 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为14 ns,上升时间为63 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为41 A,Vds漏极-源极击穿电压为150V,Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为25ns,典型接通延迟时间为16ns,Qg栅极电荷为72nC,正向跨导最小值为18S,沟道模式为增强。
IRFB41N15D是由IR制造的MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB。IRFB41N1 5D可在TO-220-3封装中获得,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH150V 41A-TO-220AA、N沟道150V41A(Tc)200W(Tc)通孔TO-220AC。
IRFB4212是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB。IRFB4211采用TO-220-3封装,是FET-单体的一部分,支持MOSFET N-CH100V 18A-TO-220AA。