9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STI17NF25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STI17NF25参考价格$2.87。STMicroelectronics STI17NF25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK。您可以下载STI17NF25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STI150N10F7带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-262-3，以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为110 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为117nC，沟道模式为增强。
STI13NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.28欧姆11A Mdmesh II I2PAK，包括25 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有8 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为360 mOhms，Qg栅极电荷为30 nC，Pd功耗为90 W，封装为管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STI14NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK。STI14NM65 N有TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH650V 12B I2PAK、N沟道650V 12C（Tc）125W（Tc，通孔I2PAK）。
STI15NM65N带有ST制造的EDA/CAD模型。STI15NM65 N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
