9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STI23NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STI23NM60N价格参考1.964美元。STMicroelectronics STI23NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK。您可以下载STI23NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STI20N65M5是MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh（TM）M5，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于MDmesh，以及I2PAK-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为130 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.5 ns，上升时间为7.5纳秒，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极源极导通电阻为160mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为36nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STI18N65M2，包括0.050717盎司单位重量，它们设计为使用Si技术操作，数据表说明中显示了用于MDmesh M2的系列，该M2提供了管等包装功能，包装盒设计为在I2PAK-3中工作，以及通孔安装样式。
带有电路图的STI18N60M2，包括Si技术。
STI21N65M5是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK。STI21N66M5可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH650V 17B I2PAK、N沟道650V 17C（Tc）125W（Tc）通孔I2PAK，Trans MOSFET N-CH2 Si 650V 17E 3-Pin（3+Tab）I2PAK管、MOSFET N沟道650 V、0.1 50欧姆、17 A MDmesh。
