9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL60NH3L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL60NH3L价格参考1.996美元。STMicroelectronics STL60NH3LL封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A POWERFLAT。您可以下载STL60NH3L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL60N10F7带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为16.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为16.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为15.2ns，Qg栅极电荷为25nC。
STL60N3LLH5是MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-22 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极-源极电阻为6.3毫欧，器件提供8 nC Qg栅极电荷，器件具有60 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为60 A，配置为单一。
STL60N32N3L是MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT，包括32A、60A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双）不对称，栅极电荷Qg Vgs设计用于6.6nC@4.5V，除了950pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8功率VDFN封装盒，该器件具有封装的Digi-ReelR，功率最大为23W、50W，最大Id Vgs上的Rds为9.2mOhm@6.8A、10V，系列为STripFET？，供应商设备包是PowerFlat？（5x6），Vgs最大Id为1V@1μA。
