9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS5692Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS5692Z参考价格为2.032美元。onsemi FDS5692Z封装/规格：MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC。您可以下载FDS5692Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS5690是MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDS5690_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1107pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为28mOhm@7A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为28毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24纳秒，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为24S，信道模式为增强。
FDS5690_F095，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS5690_F095在NMSON封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS5690_NL，带有FDS制造的电路图。FDS5690_NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS5690-NL，带有FAIRCH制造的EDA/CAD模型。FDS5690-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
