9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP10NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP10NM65N参考价格为10.208美元。STMicroelectronics STP10NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB。您可以下载STP10NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STP10NM65N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STP10NM60N是MOSFET N-CH 600V 10A TO220，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有70W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为19nC。
STP10NM60ND是MOSFET N-CH 600V 8A TO-220，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N通道MDmesh系列。此外，Rds漏极源极电阻为600 mOhms，该器件提供70 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为8A，并且配置为Single。
STP10NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 7A TO220。STP10NM500N可用于TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 7A TO220N沟道500V 7A（Tc）70W（Tc）通孔TO-220，Trans MOSFET N-CH2500V 7A 3-Pin（3+Tab）TO-220管。
