9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP30NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP30NM50N价格参考1.494美元。STMicroelectronics STP30NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3。您可以下载STP30NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP30NF10是MOSFET N-CH 100V 35A TO-220，包括STripFET？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为115W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1180pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@10V，Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为40ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为38mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型导通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为10S，信道模式是增强。
STP30NF20是MOSFET N-CH 200V 30A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为38 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为15.7ns，漏极电阻Rds为75mOhms，Pd功耗为125W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为30 A，正向跨导最小值为20 S，下降时间为8.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP30NM30N是MOSFET N-CH 300V 30A TO-220，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如30 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为160 W，Rds漏极-源极电阻为90 mOhm，上升时间为25 ns，系列为N信道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
STP30NE06L带有ST制造的EDA/CAD模型。STP30NE06 L采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
