9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTHS4501NT1，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTHS4501NT1参考价格为0.14000美元。onsemi NTHS4501NT1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET。您可以下载NTHS4501NT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NTHS4501NT1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NTHS4166NT1G是MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET，包括NTHS4166G系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于CHIPFET-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单十六进制漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns 11 ns，上升时间为13纳秒11 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为6.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns 20ns，典型接通延迟时间为12ns 8ns，Qg栅极电荷为18nC，正向跨导最小值为9S，沟道模式为增强。
NTHS4101PT1G是MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTHS4101P系列，该器件的上升时间为28 ns，漏极电阻Rds为42 mOhms，Pd功耗为1.3 W，封装为卷轴式，封装外壳为ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为-6.7 a，并且正向跨导Min为15S，并且下降时间为28ns，并且配置为单十六进制漏极，并且信道模式为增强。
NTHS4101PT1，电路图由GP/ON制造。NTHS4101PT1在ChipFET封装中提供，是FET的一部分-单个。
NTHS4111PT1带有ON制造的EDA/CAD模型。NTHS4111PT1以SOT-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
