9icnet为您提供由onsemi设计和生产的RFD14N05SM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFD14N05SM参考价格为12.26美元。onsemi RFD14N05SM封装/规格：MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA。您可以下载RFD14N05SM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RFD14N05SM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RFD14N05LSM9A是MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于RFD14M05LSM9A_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于TO-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252AA，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为48W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为670pF@25V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为14A（Tc），最大Id Vgs的Rds为100 mOhm@14A，5V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为48 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为24ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型导通延迟时间为13ns，沟道模式为增强型。
RFD14N05LSM是MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在24 ns上升时间内提供，该器件具有100 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为48 W，零件别名为RFD14N05LSM_NL，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为16ns，配置为单一，通道模式为增强。
RFD14N05LM，带有FAIRCHILD制造的电路图。RFD14N05LM采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
