9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS8670，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDS8670参考价格为7.962美元。onsemi FDS8670封装/规格：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC。您可以下载FDS8670英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS8638是MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件包，该器件也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型。此外，功率最大值为1W，器件提供40V漏极到源极电压Vdss，器件具有5680pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为18A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为4.3mOhm@18A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为86nC@10V。
FDS86540是MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作5W Pd功率耗散。此外，包装为卷筒式，该器件采用SO-8封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18 a。
FDS8638-NL，带有FAI制造的电路图。FDS8638-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
