9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP13NK50Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP13NK50Z价格参考2.906美元。STMicroelectronics STP13NK50Z封装/规格：MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB。您可以下载STP13NK50Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP13N80K5是MOSFET N-CH 800V 12A TO220，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为190W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为870pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为450 mOhm@6A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V，Pd功耗为190 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为370mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型导通延迟时间为16s，并且Qg栅极电荷为29nC，并且信道模式为增强。
STP13N65M2带有用户指南，包括0.011640盎司单位重量，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于MDmesh M2的系列，该M2提供了管等包装功能，包装盒设计为适用于to-220-3以及通孔安装样式。
STP13N60N，带有ST制造的电路图。STP13N50N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
STP13N95K3是由ST制造的MOSFET N-CH 950V 10A TO-220。STP13A95K3可用于TO-220封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH950V 10A TO-220、N沟道950V 10A（Tc）190W（Tc。
