9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB6NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB6NM60N参考价格$2.28。STMicroelectronics STB6NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK。您可以下载STB6NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB6NK90ZT4是MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为140W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为900V，输入电容Cis-Vds为1350pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@2.9A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为60.5nC@10V，Pd功耗为140 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为45ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为5.8A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为46.5nC，并且前向跨导Min为5S，并且信道模式为增强。
STB6NK60ZT4是MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为47 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为STB6NK60Z系列，该器件的上升时间为14 ns，漏极电阻Rds为1.2欧姆，Pd功耗为110 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，正向跨导最小值为5 S，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB6NK60Z-1是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK。STB6NK60 Z-1采用TO-263封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 6A I2PAG，N通道600V 6A（Tc）110W（Tc）通孔I2PAK，MOSFET N-CH，600V-1ohm Zener SuperMESH 6A。
STB6NK90带有ST制造的EDA/CAD模型。STB6NK90TO-263封装，是FET的一部分-单体。
