特色
- 16A，50V
- rDS（开）=0.047Ω
- UIS SOA评级曲线（单脉冲）
- 针对5V栅极驱动器的优化设计
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- SOA功耗有限
- 纳秒开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载波设备
- 相关文献 - TB334“将表面安装组件焊接到PC板的指南”
应用
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工作站
- 服务器和大型机
RFD16N05LSM
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥10.11109
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.11
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Tc）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大功耗 60W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 5V
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 部件状态 过时的
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 47毫欧姆 @ 16A, 5V
RFD16N05LSM 产品详情
这些是使用MegaFET工艺制造的N沟道逻辑电平功率MOSFET。该工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，从而优化了硅的利用率，从而获得了优异的性能。它们设计用于逻辑电平（5V）驱动源，应用于可编程控制器、汽车开关、开关调节器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管的发射极开关。这种性能是通过一种特殊的栅极氧化物设计实现的，该设计在3V至5V范围内的栅极偏置下提供全额定电导，从而有助于直接从逻辑电路电源电压实现真正的通断功率控制。以前的开发型TA09871。
RFD16N05LSM 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RFD-4195F-HPL | 射频工业 (RF) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: 4.1/9.5 最大频率: 3 GHz 阻抗值: 50欧姆 外壳色: 银 触点端接: 焊料 | ¥139.57068 |
 | RFD-4195-X | 射频工业 (RF) | 连接端子种类: 插头，公销 连接端子样式: 4.1/9.5 最大频率: 6 GHz 阻抗值: 50欧姆 外壳色: 银 触点端接: 焊料 | ¥90.39139 |
 | RFD-1604-2I | 射频工业 (RF) | 连接端子种类: 插头，公销 连接端子样式: 7/16 DIN 最大频率: 7.5 GHz 阻抗值: 50欧姆 外壳色: 银 触点端接: 焊料 | ¥358.8857 |
 | RFDIP1005040L38Q1C | 暂无 | ¥1.03287 | |
 | RFDIP1005040L58Q1C | 暂无 | ¥0.97412 | |
 | RFDIP2012050LPT | 暂无 | ¥1.16193 | |
 | RFDIP2520100G0T | 暂无 | ¥1.29108 | |
 | RFDIP1606L248D1T | 暂无 | ¥0.63316 | |
 | RFDIP2506BLM1T90 | 暂无 | ¥0.80353 | |
| RFDIP1607ALM9T21 | 暂无 | ¥0.76492 |
RFD16N05LSM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RFD16N05LSM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RFD16N05LSM价格参考￥10.111088，你可以下载 RFD16N05LSM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RFD16N05LSM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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