9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP16NF25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP16NF25参考价格为0.92美元。STMicroelectronics STP16NF25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB。您可以下载STP16NF25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP16NF06L是MOSFET N-CH 60V 16A TO-220，包括STripFET？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为345pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为16A（Tc），最大Id Vgs的Rds为90mOhm@8A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@5V，Pd功耗为45W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.5 ns，上升时间为37ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为17S，信道模式是增强。
STP16NF06是MOSFET N-CH 60V 16A TO-220，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.079014 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及17 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有供应商器件封装的TO-220AB，系列为STripFET？二、 上升时间为18ns，Rds On Max Id Vgs为100mOhm@8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为100mOhms，功率最大值为45W，Pd功耗为45W。封装为管式，封装外壳为TO-220-3，工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），通道数为1个通道，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Cis-Vds为315pF@25V，Id连续漏极电流为16 A，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@10V，正向跨导Min为6.5 S，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物、，FET特性为标准，下降时间为6 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为16A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
STP16NF06FP是由ST制造的MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP。STP16NF06 FP以TO-220-3全封装封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 11A-TO-220FPN沟道60V 11A（Tc）25W（Tc）通孔TO-220FP。
