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STB100N10F7是MOSFET N-Ch 100V 0.0068欧姆典型值。80A STripFET，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为61nC。
STB100N6F7带有用户指南，包括2 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为21.6 ns，以及28.6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为55.5 ns，器件的漏极-源极电阻为5.6 mOhms，Qg栅极电荷为30 nC，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为15 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STB100NF03L，带有ST制造的电路图。STB100RF03L以TO-263封装形式提供，是FET的一部分-单个。
