9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB14NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB14NM65N参考价格为2.034美元。STMicroelectronics STB14NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK。您可以下载STB14NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STB14NM65N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STB14NK60ZT4是MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有160 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为13.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为75nC，正向跨导最小值为11S，沟道模式为增强。
STB14NM50N是MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在2 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为9ns，Rds漏极-源极电阻为900m欧姆，Qg栅极电荷为42nC，Pd功耗为90W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为12 A，下降时间为32 ns，配置为单一。
STB14NK60Z，带有ST制造的电路图。STB14NK60Z采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
STB14NK60Z-1，带有STMRC制造的EDA/CAD模型。STB14NK60Z-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
