9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP180N55F3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP180N55F3参考价格$5.078。STMicroelectronics STP180N55F3封装/规格：MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB。您可以下载STP180N55F3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP17NK40ZFP是MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为15 a，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds漏极源极导通电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型导通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
STP180N10F3是MOSFET N-CH 100V 120A TO220，包括4 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列是N沟道STripFET，该器件的上升时间为97.1 ns，该器件具有4.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为114.6 nC，Pd功耗为315 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为120 a，下降时间为6.9ns。
STP1806带有ST制造的电路图。STP1806以TO-220封装形式提供，是IC芯片的一部分。
