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IRF6674TR1PBF
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IRF6674TR1PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.4A（Ta）、67A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 89W (Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥16.90493
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.90
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V
  • 部件状态 过时的
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 100A
  • 供应商设备包装 DIRECTFETMZ
  • 包装/外壳 DirectFET等距MZ
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350 pF@25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13.4A（Ta）、67A（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@13.4A，10V
  • 最大功耗 3.6W (Ta), 89W (Tc)

IRF6674TR1PBF 产品详情

9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6674TR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6674TR1PBF价格参考2.334美元。Infineon Technologies IRF6674TR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET。您可以下载IRF6674TR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRF6674TR1PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IRF6674TR1PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF6674TR1PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF6674TR1PBF价格参考￥16.904929，你可以下载 IRF6674TR1PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF6674TR1PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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