9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP2670，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDP2670参考价格为4.328美元。onsemi FDP2670封装/规格：MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3。您可以下载FDP2670英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP2572是MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A，包括管封装，它们设计用于FDP2572_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有135 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为29 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds漏极源极导通电阻为54mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强型。
FDP2614是MOSFET N-CH 200V 62A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如77 ns，典型的关闭延迟时间设计为103 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为284 ns，器件的漏极-源极电阻为27 mOhms，Pd功耗为260 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为62A，下降时间为162ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP2570是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB。FDP2570在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB，N沟道150V 22B（Ta）93W（Tc）通孔TO-220-3。
