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PSMN6R5-25YLC，115是MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作48W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为25V，该器件提供1093pF@12V输入电容Cis Vds，该器件具有逻辑电平门，4.5V FET驱动功能，25°C的电流连续漏极Id为64A（Tc），最大Id Vgs的Rds为6.5mOhm@20A，10V，Vgs th Max Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为17.5nC@10V。
PSMN6R5-30MLDX带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
带有NXP制造的电路图的PSMN7R0-100BS。PSMN7R0-100BS在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN7R0-100ES是PHILIPS制造的MOSFET N-CH 100V I2PAK。PSMN7R0-100ES提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V I2PAK。
