9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP40NS15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP40NS15参考价格为5.73美元。STMicroelectronics STP40NS15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 40A TO220AB。您可以下载STP40NS15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP40NF10L是MOSFET N-CH 100V 40A TO-220，包括STripFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2300pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为33mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为64nC@5V，Pd功耗为150W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，下降时间为24 ns，上升时间为82ns，Vgs栅极-源极电压为17V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型导通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为25S，信道模式是增强。
STP40NF12是MOSFET N-CH 120V 40A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在120 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为84 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为63纳秒，漏极电阻Rds为32毫欧，Pd功耗为150瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为28 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP40NF20是MOSFET N-CH 200V 40A TO-220，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了22 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如30 S，Id连续漏电流设计为40 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1通道数通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，Pd功耗为160 W，漏极电阻Rds为45 mΩ，上升时间为44 ns，系列为N通道STripFET，并且该技术是Si，并且晶体管极性是N沟道，并且晶体管类型是1N沟道，典型关断延迟时间是74ns，并且典型接通延迟时间是20ns，并且单位重量是0.011640oz，并且Vds漏极-源极击穿电压是200V，并且Vgs栅极-源极电压是20V。
