9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP5645，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP5645价格参考2.38美元。onsemi FDP5645封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3。您可以下载FDP5645英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP55N06是MOSFET N-CH 60V 55A TO-220，包括管封装，它们设计用于0.063493盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供114 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为95 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为55 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为22mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为33S，沟道模式为增强。
FDP5500_F085带用户指南，包括55 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.063493 oz单位重量运行，数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及5.1 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作375W Pd功率耗散。此外，包装为管式，装置采用TO-220-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 a。
FDP5500是FSC制造的MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB。FDP5500在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB、N沟道55V 80B（Tc）375W（Tc）通孔TO-220-3。
