9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP60NH2L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP60NH2L价格参考5.534美元。STMicroelectronics STP60NH2L封装/规格：MOSFET N-CH 24V 40A TO220AB。您可以下载STP60NH2L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP60NF06L是MOSFET N-CH 60V 60A TO-220，包括STripFET？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为2000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为14mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为66nC@4.5V，Pd功耗为110W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，下降时间为30 ns，上升时间为220ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型导通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为20S，信道模式是增强。
STP60NF10是MOSFET N-CH 100V 80A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为82 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为56纳秒，漏极电阻Rds为23毫欧，Pd功耗为300瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，正向跨导最小值为78 S，下降时间为23 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP60NF06ST带有ST制造的电路图。STP60RF06ST采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
