9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB2570，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB2570参考价格为6.374美元。onsemi FDB2570封装/规格：MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB。您可以下载FDB2570英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB2552_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.046296盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为29纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为37 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为97mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为39nC，沟道模式为增强。
FDB2552是MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerTrench系列，该器件的上升时间为29 ns，漏极源极电阻Rds为32 mOhms，Pd功耗为150 W，零件别名为FDB2552_NL，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为37 A，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDB2532_F085带有电路图，包括17 ns的下降时间，它们设计为在79 a Id连续漏电流下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供信道数功能，如1信道，封装盒设计为在to-252-3以及卷筒封装中工作，该设备也可以用作310 W Pd功耗。此外，Qg栅极电荷为82nC，器件提供14mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有30ns的上升时间，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.046296oz，Vds漏极源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4V。
