9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB2670，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB2670参考价格为3.012美元。onsemi FDB2670封装/规格：MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB。您可以下载FDB2670英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB2614是MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为260W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为7230pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为62A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为27mOhm@31A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为99nC@10V，Pd功耗为260W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为162 ns，上升时间为284ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为62A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为22.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为103ns，典型导通延迟时间为77ns，正向跨导最小值为72S，信道模式是增强。
FDB2572是MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计用于31 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在14 ns上升时间内提供，器件具有45 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为135 W，零件别名为FDB2572_NL，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为29 A，下降时间为14 ns，配置为单一，通道模式为增强。
FDB2570是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB。FDB2570可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AA、N沟道150V 22B（Ta）93W（Tc）表面安装TO-263AC。
