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STV160NF02LAT4

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 210W(Tc) 供应商设备包装: 10 PowerSO 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥13.00825
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.01
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 160A(Tc)
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 175 nC@10 V
  • 最大功耗 210W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@80A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5500 pF @ 15 V
  • 供应商设备包装 10 PowerSO
  • 包装/外壳 PowerSO-10外露底部衬垫

STV160NF02LAT4 产品详情

STV160NF02LAT4所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STV160NF02LAT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STV160NF02LAT4价格参考¥13.008248,你可以下载 STV160NF02LAT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STV160NF02LAT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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