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FDB5800是MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK,包括卷轴封装,设计用于0.046296盎司的单位重量,安装方式如SMD/SMT的数据表说明所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能,技术设计用于Si,以及1信道数的信道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供242 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12.1 ns,上升时间为22 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为80 A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds漏极漏极-漏极电阻为5.5mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为27.1ns,典型接通延迟时间为20.3ns,沟道模式为增强。
FDB5690是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB。FDB5690可用于TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AA、N沟道60V 32B(Tc)58W(Tc。
FDB6021是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB。FDB6021可用于TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AA。