特色
- RDS（开）=13 mΩ（典型值）@VGS=10 V，ID=58 A
- QG（总）=28 nC（典型）@VGS=10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用
- AC-DC商用电源
- DC-DC商用电源
- 家用电器
- 电动自行车
FDB16AN08A0
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、58A（Tc） 最大功耗: 135W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 800
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 800+ | 13.17577 | 10540.62160 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.17578
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,540.62
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 漏源电压标 (Vdss) 75 V
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 最大功耗 135W（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Ta）、58A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@58A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1857 pF@25 V
FDB16AN08A0 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，75 V，58 A，16 mΩ，最新的屏蔽栅PowerTrench™MOSFET，结合了较小的QSYNC和软反向恢复本征体二极管性能以及快速开关，可大幅提高同步整流效率。
FDB16AN08A0 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDBD-25S(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB RCPT PNL MNT | ¥81.12048 |
| FDBD-25P(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB16AN08A0所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB16AN08A0 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB16AN08A0价格参考￥13.175777，你可以下载 FDB16AN08A0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB16AN08A0规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
