9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF25NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF25NM50N参考价格$5.06。STMicroelectronics STF25NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP。您可以下载STF25NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF25N80K5是MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为1600pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为260 mOhm@19.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为40 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为30 V，并且Id连续漏极电流为19.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极源极导通电阻为260mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为40nC，沟道模式为增强。
STF25N10F7是MOSFET Nchanl 100V 0025 Ohm（典型值为25 A）Pwr MOSFET，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，典型开启延迟时间设计为9.8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的N沟道STripFET，上升时间为14ns，Rds漏极-源极电阻为35mOhm，Qg栅极电荷为14nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为19 A，下降时间为4.6 ns，配置为单一。
带有电路图的STF25N60M2-EP，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了16 ns的下降时间，提供了18 a等Id连续漏电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220FP-3封装盒，该器件具有30W的Pd功耗，Qg栅极电荷为29nC，Rds漏极-源极电阻为188mOhm，上升时间为10ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，典型关断延迟时间为61ns，典型的导通延迟时间为15ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V。
