9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW12NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW12NM60N参考价格为7.368美元。STMicroelectronics STW12NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3。您可以下载STW12NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW12NK80Z是MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为190W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为2620pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为750 mOhm@5.25A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为87nC@10V，Pd功耗为190 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为18ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为10.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为750mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为87nC，并且前向跨导Min为12S，并且信道模式为增强。
STW12NK90Z是MOSFET N-CH 900V 11A TO-247，包括4.5V@100μA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于900 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为31 ns，以及88 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，系列为SuperMESH？，上升时间为20 ns，Rds On Max Id Vgs为880 mOhm@5.5A，10V，Rds On漏极-源极电阻为880 mOhm，Qg栅极电荷为113 nC，功率最大值为230W，Pd功耗为230 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Ciss Vds为3500pF@25V，Id连续漏电流为11 A，栅极电荷Qg Vgs为152nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为55ns，漏极到源极电压Vdss为900V，电流连续漏极Id 25°C为11A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
STW12NK95Z是MOSFET N-CH 950V 10A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了55 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如12 S，Id连续漏电流设计为在10 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，设备提供1通道数通道，设备具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为230 W，漏极电阻Rds为690 mOhms，上升时间为20 ns，系列为N通道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为88ns，典型接通延迟时间为31ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为950V，Vgs栅极-源极电压为30V。
STW12NC60采用STW12NC6制造的EDA/CAD模型。STW12NC60采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
