9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6725MTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6725MTR1PBF参考价格为0.952美元。Infineon Technologies IRF6725MTR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET。您可以下载IRF6725MTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRF6725MTR1PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF6723M2DTRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装盒如数据表注释所示，用于DIRECTFET？Isometric MA，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及DIRECTFET？MA供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为2.7W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1380pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为6.6mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.35V@25μa，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@4.5V。
IRF6724MTRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作33nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为89 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有DirectFET-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为150 a。
IRF6724MTR带有由IR制造的电路图。IRF6724MT可用于DIRECTFET？MX封装是FET的一部分-单个。
