9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW13NK50Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW13NK50Z价格参考$4.506。STMicroelectronics STW13NK50Z封装/规格：MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3。您可以下载STW13NK50Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW13NK100Z是MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为350W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为6000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为13A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为700 mOhm@6.5A，10V，Vgs最大Id为4.5V@150μA，栅极电荷Qg Vgs为266nC@10V，Pd功耗为350W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为700mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为145ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为190nC，信道模式是增强。
带有用户指南的STW13N80K5，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为16 ns，以及42 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh K5系列，该器件具有16 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为450 mOhms，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为190 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STW13N95K3是MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3齐纳保护10A，包括单一配置，它们设计为在10 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，封装为管，该器件提供190 W Pd功耗，该器件具有51 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为680 mOhm，系列为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为950 V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs第二栅极-源极端电压为4V。
STW13NB60是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 13A TO-247。STW13MB60可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 13A TO-247、N沟道600V 13A（Tc）190W（Tc。
