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STP25N10F7是MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm（典型值25A STripFET VII），包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有50W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为25 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.8ns，典型接通延迟时间为9.8ns，Qg栅极电荷为14nC。
STP25N60M2-EP是MOSFET，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.011640 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为15 ns，以及61 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为188mOhms，Qg栅极电荷为29nC，Pd功耗为150W，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP25N80K5是MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5，包括增强型通道模式，它们设计用于单配置，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于19.5 A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有250W的Pd功耗，Qg栅极电荷为40nC，Rds漏极-源极电阻为260mOhm，系列为MDmesh K5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.011640oz，并且Vds漏极-源极击穿电压是800V，Vgs栅极-源极电压是30V，并且Vgs第栅极-源阈值电压是4V。
