9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW25NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW25NM50N参考价格为0.972美元。STMicroelectronics STW25NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3。您可以下载STW25NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW25N80K5是MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为19.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，漏极-源极电阻Rds为260mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为40nC，沟道模式为增强。
STW25N95K3是MOSFET N-Ch 950V 0.32 Ohm 22A SuperMESH 3，包括950 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411盎司的单位重量运行。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于N沟道MDmesh，以及360 mOhm Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作105nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为400 W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装方式为通孔，Id连续漏电流为22 a。
STW24NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 19A TO-247。STW24MM65N可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 19A-TO-247、N沟道650V 19A（Tc）160W（Tc。
