9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTTFS4823NTAG,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTTFS4823NTAG参考价格为0.24000美元。onsemi NTTFS4823NTAG封装/规格:MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN。您可以下载NTTFS4823NTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTTFS4821NTAG是MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN,包括NTTFS4821N系列,它们设计用于卷盘封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如WDFN-8,技术设计用于Si,以及1信道数信道,该器件也可以用作单四漏三源配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供4.1 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为4.5 ns,上升时间为22 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为57 A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds漏极漏极-漏极电阻为8.8欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为16ns,典型接通延迟时间为12ns,正向跨导最小值为53S,沟道模式为增强。
NTTFS3A08PZTWG是MOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MO,包括-20 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为与P沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了在Si中使用的技术,该Si提供了NTTFS3A08 PZ等系列功能,Rds漏极源极电阻设计为工作在6.7 mOhms,以及2.2 W Pd功耗,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为WDFN-8,该器件为SMD/SMT安装型,该器件具有-14 a的Id连续漏电流。
NTTFS4821NTWG是ON公司生产的MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN。NTTFS4821LTWG采用8功率WDFN封装,是IC芯片的一部分,支持MOSFET N-CH30V 7.5A8WDFN、Trans MOSFET N-CH20V 18.6A 8引脚WDFN EP T/R。