9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW16NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW16NM50N参考价格为6.998美元。STMicroelectronics STW16NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3。您可以下载STW16NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW15NM60ND是MOSFET N沟道600 V FDMesh，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为299mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强型。
STW15NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 14A TO-247。STW15NM60N以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 14A TO-247、N沟道600V 14A（Tc）125W（Tc。
STW16NA60带有ST制造的电路图。STW16NA 60采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
STW16NB60采用ST制造的EDA/CAD模型。STW16NB 60采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
