9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW23NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW23NM60N价格参考2.756598美元。STMicroelectronics STW23NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3。您可以下载STW23NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW23N85K5是MOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm典型19A齐纳保护型，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为850V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为275mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为38nC。
STW23NM50N是MOSFET N-CH 500V 17A TO-247，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411盎司的单位重量运行。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于N沟道MDmesh，以及162 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件采用通孔安装方式，该器件具有17A的Id连续漏电流。
STW23N80K5（带有ST.制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET N沟道800V、N沟道80V 16A（Tc）190W（Tc）通孔TO-247、Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3引脚（3+Tab）TO-247管、MOSFET N信道800V、0.23 O典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET”。
