9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1012R-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1012R-T1-E3参考价格$4.1。Vishay Siliconix SI1012R-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A。您可以下载SI1012R-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1012CR-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A，包括SI1012系列，它们设计用于卷盘封装。SI1012CR-GE3提供单位重量功能，如0.000071 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-523-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为240 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为630mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为330mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为1.3nC，正向跨导Min为7.5S。
SI1012R，带有VISHAY制造的用户指南。SI1012R在SOT323封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI1012R-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1012R-T1在SOT423封装中提供，是FET的一部分-单个。
