9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7534D1TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7534D1TR参考价格$6.066。Infineon Technologies IRF7534D1TR封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8。您可以下载IRF7534D1TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7530TRPBF是MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8，包括HEXFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-TSSOP、，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），该技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件也可以用作表面安装安装型。此外，信道数量为2信道，该器件采用Micro8？供应商设备包，该器件具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1310pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.4A，最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@5.4A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为26nC@4.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-源极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为8.5ns，Qg栅极电荷为18nC，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
IRF7532D1GTRPBF带有由IR制造的用户指南。IRF7532G1GTRPBF可在TSSOP-8封装中获得，是IC芯片的一部分。
IRF7534，电路图由IOR制造。IRF7534在TSSOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
