9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7809PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7809PBF参考价格为0.478美元。Infineon Technologies IRF7809PBF封装/规格：MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO。您可以下载IRF7809PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7809AVPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9欧姆41nC，包括管封装，它们设计用于540 mg单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作SOIC-8封装盒。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为13.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为41nC，沟道模式为增强。
IRF7809AVTRPBF是MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为41 nC，该器件提供2.5 W Pd功耗，该器件具有一个封装卷，封装盒为SOIC-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为13.3 a。
IRF7809AV是由IR制造的N通道30V 13.3A（Ta）2.5W（Ta）表面贴装8-SO。IRF7809AV以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持N通道30W 13.3A（Ta）2.5W。
IRF7809AVTR带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF7809AVTR可在SOP8封装中获得，是FET的一部分-单个。
