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FDPF51N25YDTU是MOSFET 250V 28A N-CH UNIFET，包括管封装，它们设计用于0.090478盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供38 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为130 ns，上升时间为465 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为51 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为98ns，典型接通延迟时间为62ns，沟道模式为增强。
FDPF51N25RDTU是MOSFET UniFET 250V，包括0.090478盎司单位重量，它们设计为使用硅技术操作，包装如数据表注释所示，用于管中。
FDPF52N20是FSC制造的MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F。FDPF52N20采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F。
