9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1032X-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1032X-T1-E3参考价格$4.898。Vishay Siliconix SI1032X-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3。您可以下载SI1032X-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1032R-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SI1032R-GE3的零件别名，该SI1032R-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计为在SC-75A中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数量的信道，该器件具有供应商器件封装的SC-75A，配置为单，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为140mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为5 Ohm@200mA，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.75nC@4.5V，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为25纳秒，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为140mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为50 ns，沟道模式为增强。
SI1032X，带有VISHAY制造的用户指南。SI1032X在SOT-423封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI1032X-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1032X-T1采用SC-75A封装，是FET的一部分-单个。
