9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7805QTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7805QTRPBF参考价格$5.088。Infineon Technologies IRF7805QTRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC。您可以下载IRF7805QTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7805PBF是MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC，包括管封装，它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为13 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为22nC，沟道模式为增强。
IRF7805ATRPBF是MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作11mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为22nC，该器件提供2.5W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为13A。
IRF7805QPBF带有由IR制造的电路图。IRF7805QP BF以SO-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
