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STL10LN80K5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6)VHV 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
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  • 库存: 0
  • 单价: ¥13.30122
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥43,896.32
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 42W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 427 pF @ 100 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)VHV
  • 导通电阻 Rds(ON) 660毫欧姆 @ 4A, 10V

STL10LN80K5 产品详情

STL10LN80K5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STL10LN80K5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL10LN80K5价格参考¥13.301224,你可以下载 STL10LN80K5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL10LN80K5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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