9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRL3715ZSTRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL3715ZSTRRPBF参考价格$3.308。Infineon Technologies IRL3715ZSTRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK。您可以下载IRL3715ZSTRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRL3715ZSTRRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRL3715ZLPBF是MOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Log Lvl，包括管封装，它们设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为45 W，器件提供20 V Vgs栅极-源极电压，器件具有50 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为15.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为7 nC。
IRL3715ZSPBF是MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作15.5mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为7nC，该器件提供45W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为50A。
IRL3715ZPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB。IRL3715 ZPBF以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 50A TO-220AB、N沟道20V 50A（Tc）45W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH220V 50A 3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
IRL3715ZS是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK。IRL3715 ZS有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 50A D2PAK、N沟道20V 50A（Tc）45W（Tc）表面安装D2PAK。
