IRF6609PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，在封装中实现最低的导通电阻，该封装的占地面积为SO-8，外形仅为0.7mm。DirectFET封装与电力应用、PCB组装设备和气相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容，但在制造方法和工艺方面遵循应用说明AN-1035。DirectFET封装允许双面冷却，以最大化电力系统中的热传递，将以前的最佳热阻提高80%。
IRF6609PbF平衡了低电阻和低电荷以及超低封装电感，以减少传导和开关损耗。降低的总损耗使该产品成为高效DC-DC转换器的理想选择，该转换器为最新一代的处理器提供更高频率的电源。IRF6609PbF已针对12伏总线转换器的同步降压操作中的关键参数进行了优化，包括Rds（开）、栅极电荷和Cdv/dt感应导通抗扰度。IRF6609PbF为同步FET应用提供特别低的Rds（开）和高的Cdv/dt抗扰度。
特征
•符合RoHS
•无铅（回流温度高达260°C）
•专用MOSFET
•CPU核心DC-DC转换器的理想选择
•低传导损耗和开关损耗
•高Cdv/dt抗扰度
•薄型（<0.7mm）
•双面冷却兼容
•与现有表面安装技术兼容
