● 专用MOSFET
● CPU核心DC-DC转换器的理想选择
● 低传导损耗
● 低开关损耗
● 薄型（<0.7 mm）
● 双面冷却兼容
● 与现有表面安装技术兼容
IRF6620TR1PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、150A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥14.35543
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.36
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 DIRECTFETMX
- 包装/外壳 DirectFET等距MX
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 2.8W（Ta）、89W（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.45V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 27A（Ta）、150A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@27A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4130 pF @ 10 V
IRF6620TR1PBF 产品详情
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IRF6620TR1PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF6620TR1PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF6620TR1PBF价格参考￥14.355428，你可以下载 IRF6620TR1PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF6620TR1PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
