9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRL8113STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL8113STRRPBF价格参考3.568美元。Infineon Technologies IRL8113STRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK。您可以下载IRL8113STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRL8113STRLPBF是MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl，包括卷筒封装，它们设计为在4 g单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，下降时间为5 ns，上升时间为38 ns，Id连续漏极电流为105 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.25 V，漏极-源极电阻Rds为6毫欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为35 nC，正向跨导Min为86 S。
IRL8113PBF是MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作7.1毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为23nC，该器件提供110W Pd功耗，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为105A。
IRL8113SPBF是MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK，包括105 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-252-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及110 W Pd功耗，该器件也可以用作23nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为7.1 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
IRL8113S是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK。IRL8113S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 105B D2PAK、N沟道30V 105C（Tc）110W（Tc。
